乐博体育
转自：金融界
本文源自:IT之家
DRAM 芯片制造商长鑫存储（CXMT）近日出席在旧金山举办的第 69 届 IEEE 国际电子器件会议（IEDM），发表了一篇论文，展示了环绕式闸极结构（Gate-All-Around，GAA）技术，适用于尖端 3nm 芯片。
IT之家注：专利中提及 GAA 技术适用于包括 5nm、7nm、10nm 和 14nm 在内的 3nm 以下芯片，但这并不代表着长鑫存储当前具备制造 3nm 的能力。
根据《南华早报》报道，长鑫存储虽然没有发布相关的样品，但本次论文的发布，引发了行业分析师对该公司下一代内存的广泛关注，表明长鑫在面对美国封锁下，不断加强自主芯片开发能力。